科学技術振興機構（JST）は、1枚の断面スライスから4枚のウェハが取れるサイズの大口径・高品質な太陽電池用シリコンインゴット単結晶の作製に成功したと発表した。新しい結晶作製法であるNOC法では、従来の4倍以上の断面積のシリコン結晶を得られるが、温度が管理しづらいという課題があった。今回研究グループでは、2つのヒーターとカーボン製の保熱材の組み合わせによって、大きな結晶の成長に必要な広い低温領域の確保を実現した。これにより、標準的なサイズである50cm径の石英ルツボを用いて、40cm径以上のシリコンインゴット単結晶を作製することに成功した。今後、結晶のさらなる高品質化を目指し、結晶欠陥の一種である転位をゼロにする技術が確立すれば、最高レベルの変換効率を持つシリコン太陽電池に適用できるウェハの作製コストについて3割程度の削減が期待できるという。
| 情報源 |
【オンライン情報源1】 科学技術振興機構（JST） プレスリリース |
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| 配布形式1 |
【交換形式名称】HTML 【版】不明 |
| タイトル | JST、大口径・高品質の太陽電池用シリコンインゴット単結晶の作製に成功 |
|---|---|
| 日付1 |
刊行日: 2015/11/16 |
| 要約 | 科学技術振興機構（JST）は、1枚の断面スライスから4枚のウェハが取れるサイズの大口径・高品質な太陽電池用シリコンインゴット単結晶の作製に成功したと発表した。新しい結晶作製法であるNOC法では、従来の4倍以上の断面積のシリコン結晶を得られるが、温度が管理しづらいという課題があった。今回研究グループでは、2つのヒーターとカーボン製の保熱材の組み合わせによって、大きな結晶の成長に必要な広い低温領域の確保を実現した。これにより、標準的なサイズである50cm径の石英ルツボを用いて、40cm径以上のシリコンインゴット単結晶を作製することに成功した。今後、結晶のさらなる高品質化を目指し、結晶欠陥の一種である転位をゼロにする技術が確立すれば、最高レベルの変換効率を持つシリコン太陽電池に適用できるウェハの作製コストについて3割程度の削減が期待できるという。 |
| 目的 | ニュースリリース等の配信 |
| 状態 | 完成 |
| 問合せ先（識別情報）1 |
【組織名】科学技術振興機構（JST） 【役職名】 【個人名】 【電話番号】 【FAX番号】 【住所】 【E-mail】 【オンライン情報源】科学技術振興機構（JST） 【案内時間】 【問合せのための手引き】 【役割】情報資源提供者 |
| 分野 | 地球環境 |
| 種別 | ニュース・イベント:ニュース:国内ニュース |
| 場所 | アジア:日本 |
| キーワード | 科学技術振興機構、JST、シリコン、変換効率、結晶、NOC法、ウェハ |
| 言語1 | 日本語 |
| 文字集合1 | utf8 |
| 主題分類 | 環境 |
| ファイル識別子 | 87378 |
|---|---|
| 言語 | 日本語 |
| 文字集合 | |
| 親識別子 | |
| 階層レベル | 非地理データ集合 |
| 階層レベル名 | 国内ニュース |
| 日付 | 2015/11/18 |
| メタデータ標準の名称 | JMP |
| メタデータ標準の版 | 2.0 |
| 国内ニュース | https://tenbou.nies.go.jp/news/jnews/detail.php?i=17553 |
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