環境省は、「高品質窒化ガリウム(GaN)技術による脱炭素社会・ライフスタイル先導イノベーション事業」において、次世代パワー半導体向けのGaN基板の大口径化（世界最大級）に成功した成果を発表した。同事業は、GaNを活用し、社会のあらゆる場面でエネルギー損失を徹底的に減らすことを目指すもの。次世代パワー半導体であるGaNパワー半導体の開発においては、課題である生産性向上（コスト低減）の実現に向け、GaN基板の高品質化・大口径化が求められていた。今回、同事業の委託事業者である豊田合成（株）は、大阪大学と共同で、ナトリウムとガリウムを混合した液体金属の中でGaNの結晶を成長させる手法（ナトリウムフラックス法）を活用し､世界最大級となる6インチを超える高品質なGaN基板（GaN種結晶）の作製に成功した。今後は6インチの基板量産化に向けた品質の評価などを行い、更なる品質改善と大口径化（6インチ以上）を進める計画という。この成果は、産業・家電機器、モビリティ、再生可能エネルギー機器など、社会のあらゆる場面での活用による電力ロスの低減、これによる大幅なCO2削減に貢献することが期待される。