（株）日立製作所は、ネットワーク機器やサーバなどのIT機器に用いられるLSI（高集積回路）の消費電力を約50%低減できる、SRAM（Static Random Access Memory）の低電圧化技術を開発した。SRAMは、回路の微細化の進展とともに、素子特性のばらつきが大きくなるため、必要な動作電圧のマージン（安全を見込んだ増分）が増加し、LSIの省電力の障壁となっていた。同社は、余分な動作電圧のマージンを解消し、SRAM及びLSI全体の低電圧化を可能とする適正な電圧マージン決定技術、及びSRAMの動作電圧を低減できる回路技術を開発。これにより、LSI全体の消費電力を約50%低減できることを確認した。本成果は、環境に負荷を抑えた将来のIT機器を開発する上で、高性能化と省電力化の両立を可能とする基本技術になるという。
