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 産総研、ディスプレー素子材料の評価技術の改良に関する成果を発表

発表日:2018.06.22


  国立研究開発法人産業技術総合研究所は、ディスプレーやセンシングデバイスの素子材料である薄膜トランジスタ(TFT)の評価技術の改良に成功したと発表した。TFTは、さまざまな電子デバイスの液晶表示素子として用いられており、スイッチング制御を担う基本的な材料と言われている。一方、近年ではIoTの進展などに伴い、ディスプレー等の大面積・軽量・フレキシブル化や、製造工程の簡略化・省エネルギー化が求められている。今回、TFTの駆動状態を可視化して評価できる「ゲート変調イメージング技術」に基づいて検証した「非破壊インライン検査の可能性(2018年1月発表)」を発展させ、多結晶性半導体薄膜を用いたTFT素子内の不均一な電荷分布をサブマイクロメートルの空間解像度で可視化を実現した。TFTの特性改善や高品質化に大きく貢献する成果であり、今後は太陽電池や二次電池などへの技術展開を図りたいという。

情報源 産業技術総合研究所 研究成果
機関 産業技術総合研究所 筑波大学
分野 地球環境
環境総合
キーワード 産業技術総合研究所 | JST | 可視化 | 多結晶性半導体 | 空間解像度 | TFT | 日本学術振興会 | 電気伝導
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