(独)産業技術総合研究所は、様々な種類の太陽電池を自由自在に直接接合できるスマートスタック技術を開発した。多接合太陽電池は、種類の異なる太陽電池セルをつなぎ合わせ、全波長の太陽光を吸収することにより変換効率を高めた電池であるが、製造コストが高く、問題となっていた。今回開発した技術では、複数の太陽電池セルの接合界面にパラジウム(Pd)ナノ粒子を配列し、電気的・光学的にほぼ損失無く接合する。短波長領域を吸収するガリウムヒ素(GaAs)系高効率化合物太陽電池と、長波長領域を吸収する安価なCIGSやシリコン(Si)を接合することが可能で、CIGS上にGaAsとガリウムインジウムリン(GaInP)太陽電池を接合した3接合太陽電池は、変換効率24.2 %を実現した。また、GaAs基板とインジウムリン(InP)基板を用い、それぞれの上に作製した太陽電池を4種接合した(4接合太陽電池)ところ、変換効率30.4%を得た。GaAs基板は再利用可能であることから、安価な超高効率多接合太陽電池の普及が期待されるという。
情報源 |
【オンライン情報源1】 (独)産業技術総合研究所 研究成果 |
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配布形式1 |
【交換形式名称】HTML 【版】不明 |
タイトル | 産総研、異種材料を組み合わせた次世代多接合太陽電池を開発 |
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日付1 |
刊行日: 2014/07/07 |
要約 | (独)産業技術総合研究所は、様々な種類の太陽電池を自由自在に直接接合できるスマートスタック技術を開発した。多接合太陽電池は、種類の異なる太陽電池セルをつなぎ合わせ、全波長の太陽光を吸収することにより変換効率を高めた電池であるが、製造コストが高く、問題となっていた。今回開発した技術では、複数の太陽電池セルの接合界面にパラジウム(Pd)ナノ粒子を配列し、電気的・光学的にほぼ損失無く接合する。短波長領域を吸収するガリウムヒ素(GaAs)系高効率化合物太陽電池と、長波長領域を吸収する安価なCIGSやシリコン(Si)を接合することが可能で、CIGS上にGaAsとガリウムインジウムリン(GaInP)太陽電池を接合した3接合太陽電池は、変換効率24.2 %を実現した。また、GaAs基板とインジウムリン(InP)基板を用い、それぞれの上に作製した太陽電池を4種接合した(4接合太陽電池)ところ、変換効率30.4%を得た。GaAs基板は再利用可能であることから、安価な超高効率多接合太陽電池の普及が期待されるという。 |
目的 | ニュースリリース等の配信 |
状態 | 完成 |
問合せ先(識別情報)1 |
【組織名】(独)産業技術総合研究所 【役職名】 【個人名】 【電話番号】 【FAX番号】 【住所】 【E-mail】 【オンライン情報源】(独)産業技術総合研究所 【案内時間】 【問合せのための手引き】 【役割】情報資源提供者 |
分野 | 地球環境 |
種別 | ニュース・イベント:ニュース:国内ニュース |
場所 | アジア:日本 |
キーワード | 太陽光発電、太陽電池、産業技術総合研究所、高効率、変換効率、インジウム、ガリウム、パラジウム、多接合 |
言語1 | 日本語 |
文字集合1 | utf8 |
主題分類 | 環境 |
ファイル識別子 | 81025 |
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言語 | 日本語 |
文字集合 | |
親識別子 | |
階層レベル | 非地理データ集合 |
階層レベル名 | 国内ニュース |
日付 | 2014/07/08 |
メタデータ標準の名称 | JMP |
メタデータ標準の版 | 2.0 |
国内ニュース | https://tenbou.nies.go.jp/news/jnews/detail.php?i=13891 |
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