[報文]ダイオキシン類分析のクリーンアップ処理に用いるシリカゲル精製処理方法の検討と評価

ダイオキシン類分析に用いるシリカゲルの精製方法の検討と評価を行った。その結果,メタノールまたはヘキサンでの洗浄処理による精製方法では,未精製シリカゲルに含まれていた#77,#105,#118,OCDDを十分に除去することができなかった。一方,250℃または400℃の加熱処理による精製方法で得られたシリカゲルは,#105,#118がシリカゲル50g中1.5pg以下であり,その他のダイオキシン類はすべて検出不能の清浄なものであった。特に400℃の加熱処理による方法は,他の処理方法では除去することができなかったCo-PCBs以外のPCBsの除去にも効果的であった。こうしたことから,ダイオキシン類分析に用いるシリカゲルの精製方法には,400℃での加熱処理による方法が最適と考えられた。

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