（株）日立製作所は、大阪大学と共同で、200℃～250℃という低温で半導体素子と基板を接合でき、かつ接合後は500℃を超える耐熱温度を有する高温環境向けの鉛フリー接合技術を開発したと発表した。これまで、電子部品などに用いられる高温に耐える接合材料は、鉛を多く含んだ材料が使用されていたが、近年では環境保全の観点から、有害な鉛を含まないRoHS指令に対応した接合材料が望まれている。そこで、同社は、酸化銀マイクロ粒子に還元促進剤を添加し、低温で加熱・還元する際に銀ナノ粒子が生成されることを利用した新たな接合技術を開発。同技術は、高い耐熱性と接合コストの大幅な低減を実現するとともに、アルミニウムやシリコンなどの表面に酸化物を形成している材料についても酸化膜を除去せずに接合できるという。また、接合温度が低いことから、これまで高温での接合が難しかった有機材料の接合にも道を拓くという。