（独）物質・材料研究機構は、同機構の原田特別研究員らの研究チームが、レアメタルを用いない、オールアルミ系抵抗変化型メモリ素子の集積化プロセスを開発したと発表した。これにより、次世代半導体デバイスにおけるレアメタル使用量の大幅削減が期待できるという。抵抗変化型メモリ素子（ReRAM）は、金属と絶縁体をサンドイッチしたMIM型構造を基本構造とし、その簡便な構造から集積化への期待がされているが、従来はニッケル、亜鉛、コバルト、白金等のレアメタルが用いられており、将来的資源確保の課題を抱えている。そこで同研究では、「ありふれた材料を用い、構造を工夫することにより同等の機能を発揮する材料の開発」というコンセプトのもと、アルミニウムと酸素からなるReRAM素子を開発し、さらにその集積化プロセスの開発に成功した。