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 JAEAなど、省電力化に資する「次世代不揮発メモリ」の仕組みを解明

  日本原子力研究開発機構(JAEA)は、物質・材料研究機構および高エネルギー加速器研究機構と共に、原子が不規則に配列した(アモルファス) アルミ酸化物を用いた不揮発メモリの仕組みを解明したと発表した。現在、世界で広く使用されているコンピュータの主記憶メモリ「DRAM」は、揮発性のため電力消費が大きい事が課題となっている。その問題を解決するため、不揮発性メモリの研究が行われているが、化学変化による劣化など課題が残る。同研究グループは、理論的予想(アモルファスアルミ酸化物の酸素空孔への電子の出入りはエネルギー的に安定であるという予想)を踏まえ、不揮発性メモリの動作のメカニズムの解明に取り組んだ。その結果、酸素空孔に出入りした電子が酸素原子周辺に分布することによりメモリが動作することと、化学変化による劣化が起こらないことを確認した。この研究成果により、今後、DRAMに代替可能な省電力な不揮発メモリ開発が進展することなどが期待されるという。