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（独）新エネルギー・産業技術総合開発機構、温室効果が低く環境に優しい代替フロン（CF3I）を用いた世界トップレベルの半導体加工技術を実現
発表日：2007.09.28
（独）新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は、温室効果が低く環境に優しい新規代替フロン（CF3I）を用いた、世界トップレベルの半導体加工技術を実現した。従来、半導体用配線に用いられる層間絶縁膜（Low-k膜）の加工には、地球温暖化係数（GWP）の高いCF4（GWP;6500）やC4F6（GWP;290）等が使われていた。今回使用したCF3Iは、温室効果が極めて低い（GWP;1）とともに、45nmノードの微細な配線における配線幅のラフネス（加工された配線幅の凹凸）が大幅に改善され、その加工形状が世界トップ性能であることが確認された。今後、電気的特性の評価等を加え、早期の実用化を目指すという。
